RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
73
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
73
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1700
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link