RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
51
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2858
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link