RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2858
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link