RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
33
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
33
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
2910
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link