RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
51
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3044
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link