RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3044
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link