RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
2863
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link