RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
51
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3294
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link