RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
51
Rund um -155% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3708
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link