RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
51
Около -155% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
20
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3708
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link