RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
51
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3115
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link