RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
51
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
31
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3115
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link