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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
33
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
33
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
2913
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
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Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
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