RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
66
En -120% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2374
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link