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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1822
3845
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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