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Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB vs SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
39
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2096
1822
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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