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Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB vs SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.6
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
8.1
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
39
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
12.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2096
1822
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
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Kllisre 0000 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
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