RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
16.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1822
3845
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link