RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
43
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
11
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1393
3034
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link