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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
43
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
40
Velocità di lettura, GB/s
11.0
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1393
3034
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
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G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
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