RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
66
Около -120% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2374
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link