RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
66
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2374
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link