RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
51
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2971
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link