RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
51
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2971
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link