RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
51
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3177
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link