RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
73
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
1712
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link