RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
73
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
73
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1712
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link