RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
51
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3573
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link