RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3573
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link