RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3573
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link