RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
57
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.5
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
57
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
9.5
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
2213
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link