RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
51
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3401
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link