RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3401
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link