RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
51
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3049
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link