RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
51
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
29
Velocità di lettura, GB/s
15.6
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3049
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link