RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
51
Rund um -122% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
21.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
4043
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99P5474-004.A00LF 2GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston KHX16 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link