RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.2
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
21.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
4043
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link