RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
51
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
4024
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link