RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
4024
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link