RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Porównaj
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1917
3061
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link