RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,069.2
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
106
Wokół strony -231% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
106
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,273.7
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,069.2
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
734
3726
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Porównanie pamięci RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link