RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparar
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Pontuação geral
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,069.2
16.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
106
Por volta de -231% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
106
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,273.7
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,069.2
16.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
734
3726
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Comparações de RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link