RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
51
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.8
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3925
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link