RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3925
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston KHX16 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link