RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
51
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3413
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link