RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
51
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2292
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link