RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
11.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2292
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link