RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
51
Rund um -89% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2430
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link