RAM-Vergleich Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Gesamtnote

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.6 9.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

11.8 7.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 17000

Rund um 1.51% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

37 51

Rund um -38% geringere Latenzzeit

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2687 1949

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns