Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.6 left arrow 9.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.8 left arrow 7.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 17000
    Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    37 left arrow 51
    Intorno -38% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    51 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.6 left arrow 9.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    11.8 left arrow 7.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2687 left arrow 1949
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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