RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
18.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,381.6
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
60
Intorno -94% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
31
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
3672
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link